Número de Producto del Fabricante:
TSM2N60SCW RPG
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM2N60SCW RPG-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 600MA SOT223
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 600mA (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventario:
12897928
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ENVIAR
TSM2N60SCW RPG Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
600mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5Ohm @ 600mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
435 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-223
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base
TSM2
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
TSM2N60SCW RPGCT-DG
TSM2N60SCWRPGTR
TSM2N60SCWRPGCT
TSM2N60SCW RPGDKR
TSM2N60SCWRPGDKR
TSM2N60SCW RPGTR
TSM2N60SCW RPGCT
TSM2N60SCW RPGTR-DG
TSM2N60SCW RPGDKR-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STN3N45K3
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
12537
NÚMERO DE PIEZA
STN3N45K3-DG
PRECIO UNITARIO
0.34
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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